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電漿輔助式化學氣相沉積設備

簡要描述：電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。

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更新時間：2024-07-10

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原子層沉積和磁控濺射的區別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統有更多了解光學顯微鏡的調焦系統聚焦離子束掃描電鏡系統的操作要點及常見問題偏光顯微鏡組成部分關于原子層沉積的優勢及應用領域分享

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

電漿輔助式化學氣相沉積設備（PECVD）是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。

電漿輔助式化學氣相沉積設備PECVD比半導體行業中的其他CVD技術更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

我們也開發不同機器但共用零組件，以達到節省成本。

應用領域	腔體
電漿清洗。 SiO_x、SiN_x、a-Si、DLC和其他薄膜。防刮顯示屏。醫療和商業產品的耐磨薄膜。封裝，絕緣層。	鋁或不銹鋼腔體或石英腔，佔地面積小。通過使用水冷系統、加熱器或加熱器包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12 寸晶圓。單載片或多載片。優異的薄膜均勻度小於±3％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。穩定的溫度控制，可將載盤加熱至400°C。使用電容式耦合電漿（CCP）。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。發射光譜儀。高真空傳送系統。

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電漿輔助式化學氣相沉積設備