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PECVD等離子沉積設備 Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的成本效益設計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始，可以逐步升級以完成復雜的工藝。
帶預真空室的化學氣相沉積設備 PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
等離子沉積設備 低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
