PECVD等離子沉積設備

低成本效益高

PECVD等離子體增強化學氣相沉積設備Depolab 200將平行板等離子體源設計與直接載片相結合。

升級擴展性

根據其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

強大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝處方編輯窗口，數據記錄和用戶管理。

Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的成本效益設計的優點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始，可以逐步升級以完成復雜的工藝。

PECVD Depolab 200的顯著特點是系統的可靠設計，軟件和硬件的靈活性。在該設備上開發了不同的工藝，例如用于高質量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200包括帶氣路柜的反應腔體，電子控制，計算機、前級泵和配電箱。

Depolab 200 等離子增強沉積設備用于在從室溫到400℃的溫度范圍內沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特別適用于沉積用于刻蝕掩膜，電隔離膜及其他的介質膜。

PECVD Depolab 200由SENTECH先進的控制軟件操作，使用遠程現場總線技術和用戶友好的通用用戶界面。