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反應離子蝕刻設備

簡要描述：反應離子蝕刻設備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

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廠商性質：經銷商

更新時間：2024-07-10

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探索反應離子刻蝕機的應用與優勢深硅刻蝕技術開啟微納加工新篇章在使用反應離子刻蝕機時要注意這些才行等離子刻蝕機是一種利用等離子體來刻蝕材料的設備。其工作原理是怎么樣的？從三方面讓你對反應離子刻蝕機有更多了解等離子刻蝕機的優勢

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

反應離子蝕刻設備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。

反應離子蝕刻設備參數

應用領域	腔體
基礎電漿研究。 III-V族化合物半導體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。 Si，SiO2，SiNx 蝕刻。微機電系統。金屬與矽的蝕刻。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。單載片或多載片。優異的薄膜均勻度小於±5％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。穩定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。	渦輪分子幫浦。蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。