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原子層沉積設備

簡要描述：原子層沉積設備為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。

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更新時間：2024-07-10

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原子層沉積和磁控濺射的區別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統有更多了解光學顯微鏡的調焦系統聚焦離子束掃描電鏡系統的操作要點及常見問題偏光顯微鏡組成部分關于原子層沉積的優勢及應用領域分享

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

原子層沉積設備（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5％以內。

介電常數和功函數：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流：介電常數應為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。

原子層沉積設備應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。薄膜具有高緻密性。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩定的溫度控制，將基板載臺加熱到400°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統。